Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW4N150, 1500 В, 2,5 А, TO3PF (5 шт.)
2 920 ₴
- В наявності
- Код: TM020822
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW4N150, 1500 В, 2,5 А, TO3PF (5 шт.)В наявності
2 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW4N150 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO3PF.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 1500 В
- Струм дрена: 2,5 А, потужність розсіювання: 63 Вт
- Опір у стані провідності: 7 Ом
- Корпус: TO3PF, монтаж: THT
- Комплектація: 5 штук у наборі
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела до 1500 В. Максимальний струм дрена становить 2,5 А, а потужність розсіювання — 63 Вт. Напруга на затворі обмежена ±30 В.
Технологія та опір
Компонент виготовлений за технологією PowerMesh™. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 7 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO3PF. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 63 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PF |
| Технологія | PowerMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 920 ₴