Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW3N170, 1,7 кВ, 2,6 А, TO3PF (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW3N170 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом та максимальною напругою 1,7 кВ. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO3PF, що забезпечує зручність для серійного монтажу або заміни компонентів.

• Тип транзистора: N-MOSFET з підвищеним каналом
• Напруга дрена-джерела: 1,7 кВ
• Струм дрена: 2,6 А
• Потужність розсіювання: 63 Вт
• Корпус: TO3PF, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,7 кВ та струм дрена 2,6 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у силових ланцюгах із високими вимогами до ізоляції та навантаження. Це важливо для промислового обладнання та спеціалізованих джерел живлення.

Потужність та монтаж

Максимальна потужність розсіювання становить 63 Вт. Корпус TO3PF та монтаж THT.

Комплектація

У наборі постачається 5 транзисторів. Комплект містить 5 транзисторів. Символ виробника: STFW3N170. Опір у стані провідності становить 7 Ом, а заряд затвора — 44 нКл.