
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF8N80K5, 800В, 6А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 840 ₴
- В наявності
- Код: TM037108
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STF8N80K5 у корпусі TO220FP. Компоненти призначені для роботи з напругою до 800 В та струмом 6 А, що робить їх придатними для силових електронних схем.
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 6 А
- Імпульсний струм дрена: 24 А
- Розсіювана потужність: 25 Вт
- Корпус: TO220FP (THT монтаж)
- Набір: 10 штук
Висока напруга та струм
Транзистори STF8N80K5 розраховані на напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 6 А. Це дозволяє використовувати їх у високовольтних застосуваннях, де потрібна надійна комутація значних навантажень.
Імпульсна потужність
Прилад витримує імпульсний струм дрена до 24 А та має розсіювану потужність 25 Вт. Такі характеристики забезпечують стабільну роботу в режимах короткочасних пікових навантажень.
Зручний монтаж
Компоненти виконані у корпусі TO220FP для вивідного монтажу (THT). Це забезпечує механічну стійкість з'єднань на друкованих платах.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить 0,95 Ом, що зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення типу N-MOSFET. Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвора — 16,5 нКл, що впливає на швидкість перемикання та керування.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 950 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
- Ціна: 2 840 ₴
