Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF40N60M2, 650В, 34А, TO220FP (5 шт.)
2 740 ₴
- В наявності
- Код: TM020818
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF40N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220FP з монтажем THT.
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Постійний струм дрена: 34 А
- Імпульсний струм дрена: 136 А
- Розсіювана потужність: 40 Вт
- Опір у стані провідності: 88 мОм
- Корпус: TO220FP (монтаж THT)
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела до 650 В та постійний струм дрена 34 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими навантаженнями, де потрібна надійна ізоляція та комутація значних струмів.
Імпульсна потужність
Прилад витримує імпульсний струм дрена до 136 А та має розсіювану потужність 40 Вт. Такі характеристики важливі для пристроїв із короткочасними піковими навантаженнями, забезпечуючи стабільну роботу під час різких стрибків струму.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі TO220FP з монтажем THT.
Електричні параметри
Опір у стані провідності становить 88 мОм, а заряд воріт — 57 нКл. Напруга затвор-джерело становить ±25 В.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 34 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 88 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
- Ціна: 2 740 ₴