Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF33N60M2, 600В, 26А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF33N60M2 — це напівпровідниковий прилад для силових електронних схем. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP, що забезпечує зручність для серійного монтажу та прототипування.

• Набір із 10 транзисторів для серійного виробництва
• Максимальна напруга дрена-джерела 600 В
• Струм дрена 26 А для потужних навантажень
• Корпус TO220FP
• Опір у відкритому стані 108 мОм
• Технологія MDmesh™ для зниження втрат

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 26 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних інверторах, джерелах живлення та системах керування двигунами, де потрібна надійна робота під значним навантаженням.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання становить 35 Вт, що вимагає обов'язкового використання радіатора при роботі з високими струмами. Корпус TO220FP.

Технологія MDmesh™

Компонент виготовлений за технологією MDmesh™, яка забезпечує низький опір у відкритому стані (108 мОм). Це зменшує втрати енергії та нагрівання транзистора під час комутації, підвищуючи загальний ККД пристрою.

Зручний монтаж THT та заряд затвора

Транзистори призначені для встановлення на друковану плату методом виводів (THT). Такий тип монтажу є стандартним для силових електронних блоків. Заряд затвора становить 45,5 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора та вимоги до драйвера затвора.