Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF28NM50N, 550 В, 13 А, TO220FP (3 шт.)
1 960 ₴
- В наявності
- Код: TM078695
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF28NM50N, 550 В, 13 А, TO220FP (3 шт.)В наявності
1 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF28NM50N — це уніполярний компонент із технологією MDmesh™ II, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 3 штук у корпусі TO220FP із монтажем THT.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 550 В
- Струм дрена: 13 А (постійний), 84 А (імпульсний)
- Опір у стані провідності: 158 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 3 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 550 В та постійний струм дрена 13 А. Імпульсний струм дрена може досягати 84 А,. Опір у стані провідності становить 158 мОм, а максимальна розсіювана потужність — 35 Вт.
Технологія та керування затвором
Компонент виготовлений за технологією MDmesh™ II від STMicroelectronics. Напруга затвор-джерело обмежена ±25 В, що визначає допустимі режими керування. Заряд затвора становить 50 нКл,. Монтаж здійснюється методом THT (скрізь отвори) у корпусі TO220FP.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 550 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 158 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 960 ₴