Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP, 650В, 18А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Постійний струм стіка: 18 А
• Імпульсний струм стіка: 72 А
• Розсіювана потужність: 30 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та постійний струм стіка 18 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних схемах, де потрібна надійна ізоляція та комутація значних навантажень.

Імпульсна потужність

Прилад витримує імпульсний струм стіка до 72 А, що важливо для пускових струмів у джерелах живлення. Максимальна розсіювана потужність становить 30 Вт.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220FP з виводами для вивідного монтажу (THT). Напруга затвор-витік становить ±25 В, а заряд затвора — 29 нКл. Опір у відкритому стані дорівнює 188 мОм.