Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N, 600В, 8,2А, TO220FP (набір 10 шт.)

3 170 ₴

  • В наявності
  • Код: TM020808
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N, 600В, 8,2А, TO220FP (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N, 600В, 8,2А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
3 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N — це уніполярний прилад технології MDmesh™ II, призначений для роботи з напругою до 600 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP, що забезпечує зручний монтаж у електронних схемах.

  • Напруга дрена-джерела 600 В
  • Струм дрена 8,2 А
  • Потужність розсіювання 30 Вт
  • Опір у стані провідності 0,285 Ом
  • Корпус TO220FP, монтаж THT
  • Технологія MDmesh™ II
  • Набір із 10 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 8,2 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими вимогами до ізоляції та навантаження. Така потужність розсіювання 30 Вт гарантує стабільну роботу під час експлуатації.

Технологія MDmesh™ II

Використання технології MDmesh™ II забезпечує низький опір у стані провідності 0,285 Ом. Це зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час комутації. Канал типу «wzbogacany» (збагачений) гарантує надійне відкривання транзистора.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220FP з типом монтажу THT (скрізь отвори). Це спрощує процес встановлення на друковані плати та забезпечує механічну стійкість. Максимальна напруга між затвором та джерелом становить ±25 В, що відповідає стандартам керування MOSFET.

Тип каналу та керування затвором (Gate-Source Voltage) Транзистор має канал типу «wzbogacany» (збагачений), що гарантує надійне відкривання приладу. Максимальна напруга між затвором та джерелом становить ±25 В, що відповідає стандартам керування MOSFET. Це забезпечує стабільну роботу схеми керування та захищає вхід затвора від перенапруги. ## Комплектність та застосування Товар поставляється набором із 10 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання. Уніполярна структура та технологія MDmesh™ II роблять компонент універсальним для різних електронних схем. Транзистори STF18NM60N підходять для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних силових ключів для промислового або побутового обладнання.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання30 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік25 В
Максимально допустима напруга стік-витік600 В
Максимально допустимий струм стоку8.2 А
Опір у відкритому стані (Rds)285 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220FP
ТехнологіяMDmesh™ II
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 170 ₴