Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11N65M5, 650 В, 5,6 А, TO220FP (набір 10 шт.)
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM078686
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11N65M5, 650 В, 5,6 А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11N65M5 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення та технологією MDmesh™ M5. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 5,6 А (імпульсний до 36 А)
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ M5
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 5,6 А. У імпульсному режимі струм може досягати 36 А. Опір у стані провідності становить 0,48 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється методом THT (в отвори на платі). Максимальна розсіювана потужність становить 25 Вт, а заряд затвора — 17 нКл.
Комплектація
У наборі постачається 10 транзисторів STF11N65M5.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 480 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ M5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴