Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD95N4F3, 40В, 80А, DPAK — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD95N4F3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 80 А. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та розрахована на напругу дрен-джерело 40 В.

• Струм дрену: 80 А (постійний), 320 А (імпульсний)
• Напруга дрен-джерело: 40 В
• Розсіювана потужність: 110 Вт
• Опір у відкритому стані: 5,8 мОм
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Тип: N-MOSFET, канал збагачення

Потужність та струмові характеристики

Транзистор витримує постійний струм дрену 80 А та імпульсний струм до 320 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 110 Вт, що забезпечує стабільну роботу при значних теплових навантаженнях. Низький опір у відкритому стані (5,8 мОм) мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.

Керування та напруга

Максимальна напруга дрен-джерело (VDS) дорівнює 40 В, що визначає верхню межу робочої напруги в ланцюзі. Напруга затвор-джерело (VGS) може сягати ±20 В, що забезпечує надійне керування відкриванням та закриванням каналу. Загальний заряд затвора (Qg) становить 40 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі DPAK, який є стандартом для силових MOSFET-транзисторів із середньою потужністю. Монтаж виконується за технологією SMD (поверхневий монтаж), що спрощує автоматизацію виробництва друкованих плат. Увага: даний товар постачається набором із 10 штук. Транзистор є уніполярним, що означає наявність лише одного типу носіїв заряду в каналі. Канал транзистора є збагаченим, тому для відкривання потрібна додатна напруга на затворі відносно джерела.