Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5NM60-1, 650В, 3,1А, IPAK — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5NM60-1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі IPAK для монтажу на плату (THT) та виготовлена за технологією MDmesh™.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: 650 В
• Струм дрена: 3,1 А (постійний), 20 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 96 Вт
• Корпус: IPAK, монтаж THT
• Комплект: 20 шт.

Напруга та струм

Прилад працює з напругою дрена-джерела 650 В та постійним струмом дрена 3,1 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 20 А, а розсіювана потужність досягає 96 Вт. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В.

Корпус та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі IPAK для монтажу через отвори (THT). Виробництво здійснюється за технологією MDmesh™. Ці характеристики визначають фізичні розміри та спосіб кріплення компонента на платі.

Електричні характеристики

Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 1 Ом. Заряд затвора (Qg) дорівнює 18 нКл. Ці параметри впливають на швидкодію та теплові втрати при перемиканні.