Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK80ZT4, 800В, 1,89А, DPAK — набір 10 шт.
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM078683
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK80ZT4, 800В, 1,89А, DPAK — набір 10 шт.В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK80ZT4 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та має захист від електростатичного розряду (ESD).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Струм стіка: 1,89 А
- Потужність розсіювання: 80 Вт
- Корпус: DPAK для SMD монтажу
- Захист від ESD та технологія SuperMesh™
- Набір: 10 штук
Електричні параметри та напруга затвора
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 800 В та постійний струм стіка 1,89 А. Потужність розсіювання становить 80 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 3,5 Ом. Максимальна напруга затвор-витік становить ±30 В.
Корпус, монтаж та технологія
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD). Транзистор має версію ESD. Полярність транзистора — уніполярна.
Комплектація та ідентифікація
Товар поставляється набором із 10 штук. Символ виробника: STD4NK80ZT4.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 80 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.89 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴