Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60ZT4, 600В, 2,5А, DPAK (набір 10 шт.)
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM078682
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60ZT4, 600В, 2,5А, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60ZT4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 600 В. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 2,5 А
- Розсіювана потужність: 70 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри та потужність
Компонент працює з напругою дрена-джерела до 600 В та витримує струм дрена 2,5 А. Розсіювана потужність 70 Вт визначає тепловий режим. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В, а опір у стані провідності становить 2 Ом.
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴