Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7, 100В, 32А, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 — це уніполярний компонент із технологією STripFET™ F7.## Комплектація

• Струм стоку 32 А (постійний) та 180 А (імпульсний)
• Напруга стік-витік 100 В
• Опір у відкритому стані 18 мОм
• Розсіювана потужність 60 Вт
• Корпус DPAK для SMD-монтажу
• Технологія STripFET™ F7
• Комплект: 20 шт.

Опір у відкритому стані

Опір у відкритому стані становить 18 мОм. Цей параметр визначає втрати енергії при проходженні струму через транзистор.

Струм та потужність

Постійний струм стоку становить 32 А, а імпульсний струм — 180 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 60 Вт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік дорівнює 100 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Канал типу «збагачений» (enhancement mode) забезпечує передбачуване відкривання транзистора при подачі керуючого сигналу.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі DPAK. Монтаж здійснюється за технологією SMD (поверхневий монтаж).