
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4, 900В, 3А, DPAK — набір 20 шт.
3 170 ₴
- В наявності
- Код: TM020800
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4 — це уніполярний компонент у корпусі DPAK, призначений для роботи з напругою до 900 В та струмом 3 А. Завдяки технології SuperMesh™ та опору в стані провідності 4,8 Ом він підходить для силових ланцюгів.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 900 В
- Струм дрена: 3 А
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 12 Вт
- Опір у стані провідності: 4,8 Ом
- Технологія: SuperMesh™
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Компонент розрахований на напругу дрена-джерела до 900 В, що дозволяє використовувати його у високовольтних застосуваннях. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В,.
Потужність та корпус
Транзистор має розсіювану потужність 12 Вт та опір у стані провідності 4,8 Ом, що мінімізує втрати енергії під час роботи. Корпус DPAK та монтаж SMD забезпечують компактне розміщення на друкованій платі. Технологія SuperMesh™.
Комплектація
Товар постачається у вигляді набору з 20 штук,.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 12 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 170 ₴
