Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4, 900В, 3А, DPAK — набір 20 шт.

3 170 ₴

  • В наявності
  • Код: TM020800
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4, 900В, 3А, DPAK — набір 20 шт.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4, 900В, 3А, DPAK — набір 20 шт.В наявності
3 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4 — це уніполярний компонент у корпусі DPAK, призначений для роботи з напругою до 900 В та струмом 3 А. Завдяки технології SuperMesh™ та опору в стані провідності 4,8 Ом він підходить для силових ланцюгів.

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний
  • Напруга дрена-джерела: 900 В
  • Струм дрена: 3 А
  • Корпус: DPAK, монтаж SMD
  • Розсіювана потужність: 12 Вт
  • Опір у стані провідності: 4,8 Ом
  • Технологія: SuperMesh™
  • Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Компонент розрахований на напругу дрена-джерела до 900 В, що дозволяє використовувати його у високовольтних застосуваннях. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В,.

Потужність та корпус

Транзистор має розсіювану потужність 12 Вт та опір у стані провідності 4,8 Ом, що мінімізує втрати енергії під час роботи. Корпус DPAK та монтаж SMD забезпечують компактне розміщення на друкованій платі. Технологія SuperMesh™.

Комплектація

Товар постачається у вигляді набору з 20 штук,.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання12 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік900 В
Максимально допустимий струм стоку3 А
Опір у відкритому стані (Rds)4800 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусDPAK
ТехнологіяSuperMesh™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 170 ₴