
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK80Z-1, 800 В, 1,57 А, I2PAK — набір 20 шт.
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM078680
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK80Z-1 — це напівпровідниковий прилад з каналом типу N та технологією SuperMesh™. Має максимальну напругу стік-витік 800 В та максимальний струм стоку 1,57 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 1,57 А
- Потужність розсіювання: 70 Вт
- Корпус: I2PAK, монтаж THT
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™, що впливає на його характеристики. Максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, а максимально допустимий струм стоку — 1,57 А. Версія ESD.
Максимальна потужність розсіювання дорівнює 70 Вт. Транзистор виконаний у корпусі I2PAK із монтажем THT (скрізь отвори). Версія ESD забезпечує захист від електростатичних розрядів.
У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів.
Максимальна потужність розсіювання дорівнює 70 Вт. Транзистор виконаний у корпусі I2PAK із монтажем THT (скрізь отвори).
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.57 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | I2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
- Ціна: 2 460 ₴
