Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK80Z-1, 800 В, 1,57 А, I2PAK — набір 20 шт.

2 460 ₴

  • В наявності
  • Код: TM078680
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK80Z-1, 800 В, 1,57 А, I2PAK — набір 20 шт.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK80Z-1, 800 В, 1,57 А, I2PAK — набір 20 шт.В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK80Z-1 — це напівпровідниковий прилад з каналом типу N та технологією SuperMesh™. Має максимальну напругу стік-витік 800 В та максимальний струм стоку 1,57 А.

  • Тип транзистора: N-MOSFET
  • Максимальна напруга стік-витік: 800 В
  • Максимальний струм стоку: 1,57 А
  • Потужність розсіювання: 70 Вт
  • Корпус: I2PAK, монтаж THT
  • Технологія: SuperMesh™, версія ESD
  • Кількість у комплекті: 20 шт.

Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™, що впливає на його характеристики. Максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, а максимально допустимий струм стоку — 1,57 А. Версія ESD.
Максимальна потужність розсіювання дорівнює 70 Вт. Транзистор виконаний у корпусі I2PAK із монтажем THT (скрізь отвори). Версія ESD забезпечує захист від електростатичних розрядів.

У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів.
Максимальна потужність розсіювання дорівнює 70 Вт. Транзистор виконаний у корпусі I2PAK із монтажем THT (скрізь отвори).

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання70 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік800 В
Максимально допустимий струм стоку1.57 А
Опір у відкритому стані (Rds)4500 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусI2PAK
ТехнологіяSuperMesh™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 460 ₴