
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK60Z-1, 600В, 1,51А, IPAK — набір 20 шт.
2 700 ₴
- В наявності
- Код: TM020799
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK60Z-1 — це уніполярний компонент із напругою дрена-джерела 600 В та струмом дрена 1,51 А.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 1,51 А (імпульсний до 9,6 А)
- Потужність розсіювання: 45 Вт
- Корпус IPAK, монтаж THT
- Захист від ESD
- Набір із 20 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 600 В, що дозволяє використовувати його в мережевих пристроях. Номінальний струм дрена становить 1,51 А, а імпульсний струм (Idm) досягає 9,6 А, забезпечуючи надійність при короткочасних перевантаженнях.
Потужність розсіювання
Максимальна потужність розсіювання становить 45 Вт.
Зручний монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі IPAK із виводами для вивідного монтажу (THT).
Захист від статичної електрики
Транзистор має версію ESD.
Комплектація
Товар поставляється набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.51 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3600 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | IPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 700 ₴
