Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK100Z, 1000В, 2,5А, DPAK — набір 10 шт.
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM037102
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK100Z, 1000В, 2,5А, DPAK — набір 10 шт.В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK100Z — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи з напругою до 1000 В та струмом 2,5 А. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі DPAK для монтажу SMD.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 1000 В
- Струм дрена: 2,5 А
- Потужність розсіювання: 90 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектація: 10 штук
Електричні характеристики
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 1 кВ та струм дрена 2,5 А. Потужність розсіювання становить 90 Вт, а опір у стані провідності — 6 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі DPAK для монтажу технологією SMD. Використовується технологія SuperMesh™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴