Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3N62K3, 620В, 2,7А, DPAK (набір 30 шт.)
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM078679
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3N62K3, 620В, 2,7А, DPAK (набір 30 шт.)В наявності
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3N62K3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 620 В
- Струм стіка: 2,7 А
- Потужність розсіювання: 45 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні характеристики
Прилад має напругу стік-витік 620 В та максимальний струм стіка 2,7 А. Потужність розсіювання становить 45 Вт, а опір у відкритому стані — 2,5 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В. Канал збагачуваний.
Особливості конструкції
Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD). Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
Електричні параметри каналу та керування
У пакеті постачається 30 транзисторів STD3N62K3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 620 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴