Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2LN60K3, 600В, 1,26А, DPAK (набір 100 шт.)
1 980 ₴
- В наявності
- Код: TM078677
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2LN60K3, 600В, 1,26А, DPAK (набір 100 шт.)В наявності
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2LN60K3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 600 В. Товар постачається комплектом із 100 штук у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 1,26 А
- Розсіювана потужність: 45 Вт
- Опір у відкритому стані: 4,5 Ом
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектація: 100 шт.
Напруга та струм
Прилад має максимальну напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 1,26 А. Опір у відкритому стані становить 4,5 Ом, що визначає теплові втрати при комутації. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 45 Вт, а допустима напруга затвор-витік обмежена ±30 В.
Комплектація
Транзистори постачаються набором із 100 штук. Модель STD2LN60K3 є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.26 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 980 ₴