Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2HNK60Z, 600В, 2А, DPAK — набір 40 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2HNK60Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 40 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-витік: 600 В
• Струм стіка: 2 А
• Потужність розсіювання: 45 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні характеристики

Прилад має напругу стік-витік 600 В та струм стіка 2 А, що визначає його робочі межі в електричних ланцюгах. Потужність розсіювання становить 45 Вт, а опір у відкритому стані — 4,8 Ом. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±30 В, що важливо враховувати при виборі керуючих сигналів.

Корпус та технологія SuperMesh™

Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™, яка впливає на характеристики перемикаючих приладів. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація та призначення

У пакуванні міститься 40 транзисторів STD2HNK60Z. Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачуваного типу, що визначає принцип його роботи в схемах.