Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10LT4, 100В, 25А, DPAK (набір 30 шт.)

2 030 ₴

  • В наявності
  • Код: TM078675
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10LT4, 100В, 25А, DPAK (набір 30 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10LT4, 100В, 25А, DPAK (набір 30 шт.)В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10LT4 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється набором із 30 штук.

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга стік-сорс: 100 В
  • Струм стіка: 25 А
  • Потужність розсіювання: 100 Вт
  • Опір у відкритому стані: 40 мОм
  • Корпус: DPAK, монтаж SMD
  • Технологія: SuperMesh™, версія ESD
  • Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-сорс 100 В та постійний струм стіка 25 А. Потужність розсіювання становить 100 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 40 мОм. Максимальна напруга затвор-сорс обмежена ±16 В.

Технологія та конструкція

Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™, що впливає на його ключові характеристики. Корпус DPAK призначений для SMD-монтажу. Компонент має версію ESD.

Комплектація

Товар постачається як набір із 30 транзисторів STD25NF10LT4.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання100 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік16 В
Максимально допустима напруга стік-витік100 В
Максимально допустимий струм стоку25 А
Опір у відкритому стані (Rds)40 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусDPAK
ТехнологіяSuperMesh™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 030 ₴