
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD1NK80ZT4, 800В, 1А, DPAK (набір 30 шт.)
2 650 ₴
- В наявності
- Код: TM020796
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD1NK80ZT4 — це уніполярний компонент із напругою 800 В та струмом 1 А. Пакет із 30 штук.
- Напруга дрена-джерела 800 В
- Струм дрена 1 А та потужність розсіювання 45 Вт
- Технологія SuperMesh™, опір у стані провідності 16 Ом
- Вбудований захист від електростатичних розрядів (ESD)
- Корпус DPAK, монтаж SMD
- Комплект із 30 транзисторів
Висока напруга та надійність
Компонент має напругу дрена-джерела 800 В. Максимальна розсіювана потужність становить 45 Вт. Струм дрена становить 1 А.
Технологія SuperMesh™ та захист ESD
Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™, опір у стані провідності становить 16 Ом. Наявність захисту ESD.
Зручний монтаж SMD
Корпус DPAK та тип монтажу SMD. Уніполярна структура та канал збагачення.
Транзистор STD1NK80ZT4 від STMicroelectronics.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 650 ₴
