Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N65M5, 650В, 9,4А, DPAK — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N65M5 — це уніполярний компонент із технологією SuperMesh™, призначений для роботи в схемах із напругою до 650 В. Комплект із 20 штук у корпусі DPAK зручний для масового монтажу та серійного виробництва електронних пристроїв.

• Напруга дрена-джерела 650 В для високовольтних застосувань
• Струм дрена 9,4 А та потужність розсіювання 110 Вт
• Низький опір у провідному стані 0,22 Ом завдяки SuperMesh™
• Корпус DPAK для зручного SMD-монтажу
• Захист від електростатичного розряду (ESD)
• Комплект із 20 штук для серійного виробництва

Висока напруга та струм

Транзистор витримує напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 9,4 А, що дозволяє використовувати його в силових ключах імпульсних джерел живлення. Така потужність розсіювання 110 Вт забезпечує стабільну роботу при значних навантаженнях без перегріву.

Технологія SuperMesh™

Використання технології SuperMesh™ знижує опір у провідному стані до 0,22 Ом, що зменшує втрати енергії та нагрівання компонента. Це важливо для підвищення ККД пристроїв та збільшення їхньої надійності в умовах тривалої експлуатації.

Зручний монтаж SMD

Корпус DPAK та тип монтажу SMD дозволяють автоматизувати процес встановлення на друковані плати. Компактні розміри компонента допомагають економити місце на платі, що критично для компактних електронних пристроїв.

Захист від електростатичного розряду

Версія ESD забезпечує захист входу від електростатичного розряду, що зменшує ризик пошкодження транзистора під час монтажу та обслуговування. Це підвищує загальну надійність виробу та спрощує роботу з компонентами на виробництві.

Комплект для серійного виробництва

Упакування містить 20 транзисторів, що оптимально для невеликих серій або тестових партій. Така кількість дозволяє одразу забезпечити запас компонентів для складання кількох пристроїв.