Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13NM60N, 600В, 6,93А, DPAK — набір 10 шт.
2 950 ₴
- В наявності
- Код: TM020792
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13NM60N, 600В, 6,93А, DPAK — набір 10 шт.В наявності
2 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13NM60N — це уніполярний компонент у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Пристрій розрахований на напругу 600 В та струм 6,93 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 6,93 А
- Потужність розсіювання: 90 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор витримує напругу дрена-джерела до 600 В. Максимальний струм дрена становить 6,93 А. Напруга затвор-джерело становить ±25 В.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 90 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,36 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK. Тип монтажу — SMD (поверхневий).
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.93 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 950 ₴