Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2, 600В, 7А, DPAK — набір 20 шт.

3 180 ₴

  • В наявності
  • Код: TM020791
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2, 600В, 7А, DPAK — набір 20 шт.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2, 600В, 7А, DPAK — набір 20 шт.В наявності
3 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK. Модель характеризується робочою напругою 600 В та струмом стоку 7 А.

  • Напруга стік-витік 600 В
  • Струм стоку 7 А та потужність розсіювання 110 Вт
  • Опір у стані провідності 0,38 Ом
  • Корпус DPAK (SMD) для поверхневого монтажу
  • Технологія SuperMesh™
  • Захист від електростатичного розряду (ESD)
  • Набір із 20 транзисторів у комплекті

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В. Максимальний постійний струм стоку становить 7 А. Потужність розсіювання 110 Вт.

Технологія SuperMesh™ та опір

Прилад виготовлений за технологією SuperMesh™. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,38 Ом. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±25 В.

Зручний монтаж та захист ESD

Корпус DPAK є поверхневим (SMD). Транзистор має вбудований захист від електростатичного розряду (ESD).

Комплектація

Товар поставляється набором із 20 транзисторів.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання110 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік25 В
Максимально допустима напруга стік-витік600 В
Максимально допустимий струм стоку7 А
Опір у відкритому стані (Rds)380 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусDPAK
ТехнологіяSuperMesh™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 180 ₴