
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2, 600В, 7А, DPAK — набір 20 шт.
3 180 ₴
- В наявності
- Код: TM020791
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK. Модель характеризується робочою напругою 600 В та струмом стоку 7 А.
- Напруга стік-витік 600 В
- Струм стоку 7 А та потужність розсіювання 110 Вт
- Опір у стані провідності 0,38 Ом
- Корпус DPAK (SMD) для поверхневого монтажу
- Технологія SuperMesh™
- Захист від електростатичного розряду (ESD)
- Набір із 20 транзисторів у комплекті
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В. Максимальний постійний струм стоку становить 7 А. Потужність розсіювання 110 Вт.
Технологія SuperMesh™ та опір
Прилад виготовлений за технологією SuperMesh™. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,38 Ом. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±25 В.
Зручний монтаж та захист ESD
Корпус DPAK є поверхневим (SMD). Транзистор має вбудований захист від електростатичного розряду (ESD).
Комплектація
Товар поставляється набором із 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 180 ₴
