Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4, 60В, 8.5А, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для використання в електронних пристроях. Модель виконана в корпусі DPAK із технологією SuperMesh™, що забезпечує ефективну роботу при напрузі 60 В та струмі 8.5 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 60 В
• Струм дрена: 8.5 А
• Потужність розсіювання: 30 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Технологія: SuperMesh™, версія ESD
• Набір: 20 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор працює з максимальною напругою дрена-джерела 60 В та витримує струм дрена 8.5 А. Потужність розсіювання становить 30 Вт, що дозволяє використовувати компонент у відповідних електричних схемах. Опір у стані провідності дорівнює 0.1 Ом, що мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі DPAK, що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання забезпечує компактність плати та зручність автоматизованого виробництва. Версія ESD забезпечує захист компонента від електростатичних розрядів.

Комплектація

Товар поставляється як набір із 20 транзисторів. Це зручне рішення для серійного виробництва або ремонту партій обладнання, де потрібно кілька однакових компонентів.## Напруга затвор-джерело та опір у стані провідності Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає допустимий діапазон керуючих сигналів. Опір у стані провідності дорівнює 0.1 Ом, що мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи.