Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06L-1, 60В, 12А, IPAK — набір 30 шт.
2 440 ₴
- В наявності
- Код: TM078671
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06L-1, 60В, 12А, IPAK — набір 30 шт.В наявності
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STripFET™ II від STMicroelectronics у корпусі IPAK. Модель STD12NF06L-1 розрахована на напругу 60 В та струм 12 А, з максимальною потужністю розсіювання 30 Вт.
- Тип: N-MOSFET, технологія STripFET™ II
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 12 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Корпус: IPAK, монтаж: THT
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні характеристики
Пристрій є уніполярним польовим транзистором з каналом збагачення. Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а струм стоку — 12 А.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі IPAK із технологією монтажу THT (скрізний монтаж).
Комплектація
Увага: товар постачається набором із 30 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технологія | STripFET™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 440 ₴