Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2, 600В, 4,9А, DPAK — набір 20 шт.
2 430 ₴
- В наявності
- Код: TM078670
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2, 600В, 4,9А, DPAK — набір 20 шт.В наявності
2 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2 — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором. Пристрій виконаний у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та має вбудований захист від електростатичного розряду (ESD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 4,9 А
- Потужність розсіювання: 85 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Захист ESD та технологія SuperMesh™
- Набір: 20 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стіка 4,9 А. Допустима напруга затвор-витік становить ±25 В. Потужність розсіювання становить 85 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,6 Ом.
Технологія SuperMesh™
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), що означає відсутність струму в закритому стані при нульовій напрузі на затворі. Корпус DPAK та монтаж SMD.
Комплектація та монтаж
Товар поставляється набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 85 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 600 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 430 ₴