Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB7NK80ZT4, 800В, 3,3А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM037099
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB7NK80ZT4, 800В, 3,3А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB7NK80ZT4 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 800 В та струм 3,3 А. Товар постачається набором із 10 одиниць у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 3,3 А
- Потужність розсіювання: 125 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Прилад має максимальну напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 3,3 А. Потужність розсіювання становить 125 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 1,8 Ом, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В.
Технологія та корпус
Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™. Корпус D2PAK призначений для SMD-монтажу. Транзистор має версію ESD.
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів STB7NK80ZT4.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴