Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6NK90ZT4, 900В, 5,8А, D2PAK (10 шт.)
2 300 ₴
- В наявності
- Код: TM037097
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6NK90ZT4, 900В, 5,8А, D2PAK (10 шт.)В наявності
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6NK90ZT4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 900 В. Пакет містить 10 одиниць у корпусі D2PAK для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 900 В
- Струм стоку: 5,8 А
- Розсіювана потужність: 140 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на струм стоку 5,8 А та напругу стік-витік 900 В. Максимальна розсіювана потужність становить 140 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 2 Ом, а допустима напруга затвор-витік — ±30 В.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Корпус D2PAK забезпечує монтаж на поверхню (SMD) друкованих плат.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 300 ₴