Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6N80K5, 800В, 4,5А, D2PAK (10 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM078668
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6N80K5, 800В, 4,5А, D2PAK (10 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6N80K5 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 800 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі D2PAK (TO263) для поверхневого монтажу (SMD).
- Напруга стік-витік: 800 В
- Струм стіка: 4,5 А
- Потужність розсіювання: 85 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Технологія: MDmesh™
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 800 В та постійний струм стіка 4,5 А. Потужність розсіювання становить 85 Вт, а заряд затвора — 7,5 нКл. Опір у відкритому стані дорівнює 1,6 Ом.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією MDmesh™. Корпус D2PAK (TO263) дозволяє здійснювати монтаж на поверхню плати (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 85 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
| Технологія | MDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴