Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4, 60В, 42А, D2PAK, 10 шт.
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM078667
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4, 60В, 42А, D2PAK, 10 шт.В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 60 В та струм 42 А. Пакет містить 10 одиниць у корпусі D2PAK для монтажу SMD.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 42 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Опір у стані провідності: 16 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 60 В та витримує струм дрена 42 А. Потужність розсіювання становить 110 Вт, а опір у стані провідності — 16 мОм. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±15 В.
Монтаж та корпус
Компонент виготовлений у корпусі D2PAK із технологією SuperMesh™. Компонент має версію ESD. Монтаж виконується методом SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 42 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴