Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06T4, 60V, 35A, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06T4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель вирізняється високою струмовою навантаженістю 35 А та робочою напругою 60 В, що робить її придатною для силових ланцюгів. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі D2PAK для зручного монтажу на друкованих платах.

• Струм стоку 35 А для потужних силових ланцюгів
• Напруга стік-витік 60 В для надійної ізоляції
• Потужність розсіювання 110 Вт у корпусі D2PAK
• Опір у стані провідності 18 мОм для мінімізації втрат
• Захист ESD від електростатичних розрядів
• Набір із 10 транзисторів для серійного монтажу

Висока струмова навантаженість

Транзистор здатний пропускати струм стоку до 35 А, що дозволяє використовувати його в потужних силових схемах. Така характеристика дозволяє використовувати компонент у схемах із високим струмовим навантаженням.

Надійна ізоляція та захист

Максимальна напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Вбудований захист ESD захищає чутливий затвор від електростатичних розрядів під час монтажу та обслуговування.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання 110 Вт визначає тепловий режим роботи компонента. Корпус D2PAK забезпечує відвід тепла на друковану плату.

Зручний монтаж та технологія

Компонент виконаний у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва. Використання технології SuperMesh™ сприяє оптимізації параметрів провідності. Низький опір у стані провідності 18 мОм зменшує втрати енергії.