Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40NF10LT4, 100В, 25А, D2PAK, SuperMesh™ — набір 10 шт.
2 880 ₴
- В наявності
- Код: TM020785
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40NF10LT4 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель вирізняється технологією SuperMesh™ та версією ESD. Напруга затвор-джерело становить ±15 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дренаж-джерело: 100 В
- Максимальний струм дренажу: 25 А
- Потужність розсіювання: 150 Вт
- Опір у стані провідності: 36 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, захист ESD
- Комплектація: набір із 10 шт.
Потужність розсіювання
Транзистор має потужність розсіювання 150 Вт. Цей параметр визначає максимальну теплову навантаженість компонента під час роботи.
Електричні параметри
Максимальний струм дренажу становить 25 А, а напруга дренаж-джерело — 100 В. Напруга затвор-джерело дорівнює ±15 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі D2PAK із типом монтажу SMD. Опір у стані провідності становить 36 мОм.
Версія ESD
Транзистор випускається у версії ESD. Ця характеристика вказана в специфікації виробника.
Транзистор STB40NF10LT4 поставляється набором із 10 штук. Компонент має символ виробника STB40NF10LT4.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
- Ціна: 2 880 ₴