Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40N60M2, 600В, 22А, D2PAK (5 шт.)
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM078666
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40N60M2, 600В, 22А, D2PAK (5 шт.)В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-сорс: 600 В
- Струм стіка: 22 А
- Потужність розсіювання: 250 Вт
- Опір у відкритому стані: 88 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, захист ESD
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-сорс 600 В та струм стіка 22 А. Потужність розсіювання становить 250 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 88 мОм.
Технологія та захист
Прилад виготовлений за технологією SuperMesh™. Наявність захисту від електростатичного розряду (ESD). Максимальна напруга затвор-сорс обмежена ±25 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 22 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 88 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴