Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4, 100В, 25А, D2PAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB30NF10T4 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється набором із 20 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонтних майстерень.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Максимальний струм дрена: 25 А
• Потужність розсіювання: 115 Вт
• Опір у стані провідності: 45 мОм
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Захист ESD та технологія SuperMesh™
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатний розсіювати потужність до 115 Вт, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах без надмірного нагрівання. Ефективне відведення тепла забезпечується конструкцією корпусу D2PAK.

Стійкість до перевантажень

Максимальний струм дрена становить 25 А, а напруга дрена-джерела — 100 В. Це гарантує стабільну роботу транзистора в умовах високих струмових навантажень. Низький опір у стані провідності (45 мОм) мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.

Захист від електростатичного розряду

Версія ESD забезпечує вбудований захист від електростатичного розряду. Це підвищує надійність транзистора під час монтажу та експлуатації, захищаючи чутливу структуру від випадкових розрядів. Використовується технологія SuperMesh™.

Зручність монтажу та комплектація

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD). Набори по 20 штук дозволяють закуповувати необхідну кількість транзисторів для невеликих серій або навчальних проектів. Корпус D2PAK.