Транзистор STMicroelectronics STB24N60DM2, N-MOSFET, 600 В, 11 А, D2PAK (набір 10 шт.)
3 230 ₴
- В наявності
- Код: TM020783
Транзистор STMicroelectronics STB24N60DM2, N-MOSFET, 600 В, 11 А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
3 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор STMicroelectronics STB24N60DM2 — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 11 А. Прилад виконаний у корпусі D2PAK із технологією SuperMesh™ та захистом ESD.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 11 А
- Потужність розсіювання: 150 Вт
- Опір у відкритому стані: 200 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж поверхневий
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимально допустимий струм стоку 11 А. Потужність розсіювання становить 150 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 200 мОм. Напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.
Конструкція та монтаж
Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі D2PAK. Використовується технологія SuperMesh™, а версія пристрою має маркування ESD. Канал транзистора — збагачений (enhancement), полярність — уніполярна.
Комплектація та версія
У наборі поставляється 10 штук транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 230 ₴