Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB24N60DM2, 600V, 11A, D2PAK, ESD — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB24N60DM2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 11 А. Компонент виконаний у корпусі D2PAK з технологією SuperMesh™ та захистом ESD, що забезпечує стабільну роботу в силових ланцюгах.

• Напруга дрена-джерела 600 В для високовольтних застосувань
• Струм дрена 11 А та потужність розсіювання 150 Вт
• Технологія SuperMesh™ та опір у провідному стані 0,2 Ом
• Корпус D2PAK для поверхневого монтажу (SMD)
• Вбудований захист від електростатичних розрядів (ESD)
• Набір із 10 транзисторів у комплекті

Висока напруга та струм

Транзистор витримує напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 11 А, що дозволяє використовувати його в імпульсних джерелах живлення та інверторах. Потужність розсіювання становить 150 Вт, що гарантує ефективне відведення тепла під час роботи. Номінальна напруга затвор-джерело ±25 В визначає безпечні режими керування.

Технологія SuperMesh™ та захист ESD

Використання технології SuperMesh™ знижує опір у провідному стані до 0,2 Ом, зменшуючи втрати енергії та нагрівання компонента. Вбудований захист ESD захищає чутливі ланцюги керування від електростатичних розрядів під час монтажу та експлуатації. Це підвищує надійність пристрою в умовах промислового виробництва.

Зручний монтаж SMD

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі D2PAK, що спрощує автоматизацію збірки плат. Такий формат корпусу забезпечує компактне розміщення та добрий тепловідвід через контактну площадку. Транзистор підходить для серійного виробництва електронних модулів.

Уніполярна структура з каналом збагачення

Товар поставляється набором із 10 штук, що зручно для прототипування або дрібносерійного виробництва. Кількість у комплекті дозволяє одразу забезпечити кілька вузлів або мати запас для ремонту.