Транзистор STMicroelectronics STB23NM50N, N-MOSFET, 500 В, 11 А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STB23NM50N — це польовий N-MOSFET у корпусі D2PAK. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 500 В та струм стоку 11 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 11 А
• Максимальна потужність розсіювання: 125 Вт
• Корпус: D2PAK (поверхневий монтаж)
• Опір у відкритому стані: 190 мОм
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 500 В, а напруга затвор-витік — 25 В. Максимальний струм стоку дорівнює 11 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 190 мОм. Максимальна потужність розсіювання транзистора — 125 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі D2PAK. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією.

Полярність та канал транзистора

Транзистор має уніполярну поляризацію та канал типу «wzbogacany» (збагачений). Це визначає його електричні характеристики та режим роботи як польового транзистора з індукованим каналом.