Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB23NM50N, 500В, 11А, D2PAK (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів STMicroelectronics STB23NM50N типу N-MOSFET у корпусі D2PAK. Компоненти розраховані на напругу 500 В та струм 11 А, що робить їх придатними для силових схем із середнім навантаженням.

• Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
• Максимальна напруга дрена-джерела 500 В
• Струм дрена 11 А
• Розсіювана потужність 125 Вт
• Корпус D2PAK для монтажу SMD
• Опір у стані провідності 0,19 Ом

Висока напруга та струм

Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 500 В та постійний струм дрена 11 А. Це дозволяє використовувати їх у імпульсних блоках живлення та інверторах, де потрібна надійна комутація високої напруги.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт. Такий показник забезпечує стабільну роботу компонента під навантаженням, особливо при монтажі на радіатор або масивну друковану плату.

Зручний монтаж SMD

Компоненти виконані у корпусі D2PAK із технологією монтажу SMD. Це спрощує автоматизоване виробництво та забезпечує компактне розміщення на платі без зайвого нагріву навколишніх елементів.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 0,19 Ом. Низьке значення опору зменшує втрати енергії та нагрівання транзистора під час роботи, підвищуючи загальний ККД пристрою.

Комплектація

У комплекті поставляється 10 транзисторів STB23NM50N. Така кількість зручна для прототипування або дрібносерійного виробництва.