Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB18NF25, 250В, 12А, D2PAK — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB18NF25 — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією STripFET™ II, призначений для ефективної комутації в електронних схемах. Модель у корпусі D2PAK забезпечує робочу напругу 250 В та струм 12 А, що робить її придатною для імпульсних джерел живлення та двигунів.

• Технологія STripFET™ II для низьких втрат при комутації
• Робоча напруга 250 В та струм 12 А
• Імпульсний струм до 68 А для пікових навантажень
• Розсіювана потужність 110 Вт
• Корпус D2PAK для SMD монтажу
• Набір із 20 транзисторів

Висока ефективність комутації

Завдяки технології STripFET™ II транзистор демонструє низький заряд затвора 29,3 нКл, що спрощує керування та зменшує втрати при перемиканні. Опір у відкритому стані становить 0,165 Ом, що мінімізує нагрівання компонента під час роботи. Це важливо для пристроїв, де критична енергоефективність та стабільність параметрів.

Потужність та надійність

Транзистор розрахований на розсіювання потужності до 110 Вт, що дозволяє використовувати його в навантажених силових ланцюгах. Максимальний імпульсний струм досягає 68 А, забезпечуючи запас міцності при короткочасних пікових навантаженнях. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, що потребує дотримання стандартних рівнів керуючих сигналів.

Висока надійність та керування затвором (желательно)

Компонент виконаний у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва друкованих плат. Товар поставляється набором із 20 штук, що зручно для прототипування або серійного виробництва невеликих партій. Така комплектація дозволяє одразу мати запас компонентів для ремонту або складання пристроїв.