Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB16NF06LT4, 60В, 11А, D2PAK, набір 10 шт.
2 110 ₴
- В наявності
- Код: TM078664
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB16NF06LT4, 60В, 11А, D2PAK, набір 10 шт.В наявності
2 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB16NF06LT4 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється набором із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 11 А
- Розсіювана потужність: 45 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 11 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 45 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі D2PAK, що дозволяє використовувати технологію поверхневого монтажу (SMD).
Технології та захист
У конструкції застосовано технологію SuperMesh™. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 110 ₴