Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB14NM50N, 550В, 12А, D2PAK — набір 10 шт.
2 670 ₴
- В наявності
- Код: TM020780
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB14NM50N, 550В, 12А, D2PAK — набір 10 шт.В наявності
2 670 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB14NM50N — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу SMD. Характеризується напругою до 550 В та струмом до 12 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачуваний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 550 В
- Струм дрена: 12 А (постійний), 48 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 90 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Опір у стані провідності: 0,28 Ом
- Заряд затвора: 27 нКл
- Набір: 10 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 550 В та постійний струм дрена 12 А. Імпульсний струм може досягати 48 А,
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 90 Вт. Заряд затвора дорівнює 27 нКл.
Зручний монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі D2PAK із типом монтажу SMD. Низька опір у стані провідності 0,28 Ом
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 550 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 280 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 670 ₴