Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB140NF55T4, 55В, 80А, D2PAK — набір 10 шт.
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM078662
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB140NF55T4 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу на поверхню (SMD). Модель побудована на технології STripFET™ II та призначена для роботи з напругою до 55 В і струмом до 80 А.
- Струм дрена 80 А та імпульсний струм 320 А
- Напруга дрена-джерела 55 В
- Опір у стані провідності 8 мОм
- Розсіювана потужність 300 Вт
- Корпус D2PAK для SMD монтажу
- Технологія STripFET™ II
- Набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 55 В та постійний струм дрена 80 А. Імпульсний струм дрена може досягати 320 А. Опір у стані провідності становить 8 мОм. Напруга на затворі обмежена ±20 В, а повний заряд затвора становить 142 нКл.
Потужність та конструкція
Максимальна розсіювана потужність дорівнює 300 Вт. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode). Прилад виготовлений за технологією STripFET™ II. Корпус D2PAK призначений для монтажу на поверхню (SMD).
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 транзисторів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | STripFET™ II |
- Ціна: 2 120 ₴