Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13NM60N, 600В, 6,93А, D2PAK (набір 20 шт.)
2 470 ₴
- В наявності
- Код: TM078661
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13NM60N, 600В, 6,93А, D2PAK (набір 20 шт.)В наявності
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET STB13NM60N від STMicroelectronics у корпусі D2PAK. Компоненти мають напругу дренаж-джерело 600 В та струм дренажу 6,93 А.
- Тип: N-MOSFET, канал збагаченого типу
- Максимальна напруга дренаж-джерело: 600 В
- Струм дренажу: 6,93 А
- Розсіювана потужність: 90 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: MDmesh™
- Кількість у наборі: 20 шт.
Технічні характеристики
Транзистори мають канал збагаченого типу та витримують напругу між виводами дренажу та джерела до 600 В. Максимальний струм дренажу становить 6,93 А, а розсіювана потужність — 90 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 0,36 Ом.
Монтаж та технологія MDmesh™
Компоненти виготовлені за технологією MDmesh™ та призначені для поверхневого монтажу (SMD). Корпус D2PAK.
Комплектація та параметри затвора
У пакеті постачається 20 транзисторів STB13NM60N. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±25 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.93 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | MDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 470 ₴