Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4, 100В, 77А, D2PAK (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4 — це уніполярний компонент із технологією SuperMesh™, призначений для ефективної комутації в силових електронних схемах. Комплект складається з 10 штук, що забезпечує запас для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Струм дрена 77 А та напруга 100 В для потужних схем
• Низький опір у відкритому стані 10,5 мОм
• Розсіювана потужність до 312 Вт
• Корпус D2PAK для SMD монтажу
• Вбудований захист ESD
• Комплект із 10 штук

Висока потужність та струм

Компонент розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 77 А. Максимальна розсіювана потужність становить 312 Вт, що дозволяє використовувати транзистор у потужних інверторах та джерелах живлення без ризику перегріву за умови належного охолодження.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 10,5 мОм. Таке низьке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою та дозволяє зменшити розміри радіаторів.

Захист від статичної електрики

Версія ESD забезпечує вбудований захист від електростатичного розряду. Це спрощує процес монтажу та експлуатації, зменшуючи ймовірність пошкодження чутливого входу затвора під час обслуговування плати.

Зручний монтаж та корпус

Транзистор виконаний у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD). Цей формат популяризований у промисловій електроніці завдяки поєднанню компактності та можливості відведення тепла через корпус на друковану плату.

Надійність та технологія

Використання технології SuperMesh™ від STMicroelectronics гарантує стабільні характеристики та високу надійність компонента. Транзистор є каналом збагаченого типу, що вимагає напруги затвор-джерело ±20 В для повного відкриття.