Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB11NK50ZT4, 500В, 6.3А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 540 ₴
- В наявності
- Код: TM020778
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB11NK50ZT4, 500В, 6.3А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB11NK50ZT4 — це уніполярний компонент із напругою стік-витік 500 В та струмом 6,3 А.
- Напруга стік-витік 500 В
- Струм стіка 6,3 А та імпульсний струм 40 А
- Потужність розсіювання 125 Вт
- Технологія SuperMesh™
- Корпус D2PAK із монтажем SMD
- Захист від електростатичних розрядів (ESD)
- Набір із 10 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою стік-витік 500 В. Номінальний струм стіка становить 6,3 А, а імпульсний струм досягає 40 А, забезпечуючи надійну роботу під час пікових навантажень.
Потужність розсіювання
Компонент здатний розсіювати потужність до 125 Вт. Це важливо для стабільної роботи силових схем без перегріву, особливо в умовах обмеженого охолодження або щільного монтажу.
Технологія SuperMesh™
Використання технології SuperMesh™ сприяє оптимізації параметрів транзистора.
Захист ESD
Транзистор має версію ESD, що забезпечує захист від електростатичних розрядів.
Зручний монтаж SMD
Корпус D2PAK та тип монтажу SMD
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 штук,
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 520 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 540 ₴