Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB100NF04T4, 40V, 120A, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB100NF04T4 — це силовий компонент технології STripFET™ II, призначений для роботи в електронних схемах автомобільної галузі. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі D2PAK, що забезпечує зручний монтаж на поверхню (SMD).

• Струм дрена 120 А та імпульсний струм 480 А
• Напруга дрена-джерела 40 В
• Розсіювана потужність 300 Вт
• Опір у стані провідності 4,6 мОм
• Корпус D2PAK для SMD монтажу
• Комплект із 10 транзисторів

Потужність та струм

Компонент розрахований на напругу дрена-джерела 40 В та постійний струм дрена 120 А. Максимальна розсіювана потужність становить 300 Вт, що дозволяє використовувати транзистор у високонавантажених ланцюгах. Імпульсний струм дрена може досягати 480 А, що важливо для пускових режимів та короткочасних пікових навантажень.

Ефективність роботи

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 4,6 мОм. Таке низьке значення мінімізує теплові втрати на компоненті та підвищує загальний ККД пристрою. Це особливо актуально для систем живлення, де важливо зберегти енергію та зменшити нагрівання.

Комплектація

Комплект складається з 10 транзисторів STB100NF04T4. Така кількість зручна для серійного виробництва або ремонту обладнання. Компоненти поставляються у корпусі D2PAK.