Транзистор N-MOSFET Toshiba SSM6K504NU, 30В, 9А, uDFN6, комплект 150 шт (SSM6K504NU,LF
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM078627
Транзистор N-MOSFET Toshiba SSM6K504NU, 30В, 9А, uDFN6, комплект 150 шт (SSM6K504NU,LFВ наявності
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Toshiba SSM6K504NU — це N-канальний MOSFET з підвищеним каналом. Компонент виконаний у корпусі uDFN6 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється комплектом із 150 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET з підвищеним каналом
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Постійний струм стоку: 9 А (імпульсний: 18 А)
- Опір у відкритому стані: 26 мОм
- Корпус: uDFN6 для SMD-монтажу
- Комплект: 150 штук
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 30 В та постійним струмом стоку 9 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 18 А. Опір у відкритому стані становить 26 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 1,25 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент розміщений у корпусі uDFN6, що оптимізований для поверхневого монтажу (SMD). Компонент має версію ESD.
Комплектація
Товар постачається як набір із 150 транзисторів Toshiba SSM6K504NU.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | uDFN6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 240 ₴